首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   24574篇
  免费   2114篇
  国内免费   773篇
电工技术   13536篇
技术理论   1篇
综合类   1380篇
化学工业   659篇
金属工艺   419篇
机械仪表   1186篇
建筑科学   711篇
矿业工程   375篇
能源动力   1678篇
轻工业   103篇
水利工程   766篇
石油天然气   183篇
武器工业   72篇
无线电   2621篇
一般工业技术   569篇
冶金工业   399篇
原子能技术   468篇
自动化技术   2335篇
  2024年   52篇
  2023年   207篇
  2022年   340篇
  2021年   494篇
  2020年   599篇
  2019年   393篇
  2018年   340篇
  2017年   657篇
  2016年   748篇
  2015年   814篇
  2014年   1498篇
  2013年   1124篇
  2012年   1667篇
  2011年   2036篇
  2010年   1519篇
  2009年   1600篇
  2008年   1447篇
  2007年   1668篇
  2006年   1646篇
  2005年   1791篇
  2004年   1448篇
  2003年   1042篇
  2002年   688篇
  2001年   625篇
  2000年   492篇
  1999年   483篇
  1998年   410篇
  1997年   303篇
  1996年   295篇
  1995年   242篇
  1994年   203篇
  1993年   178篇
  1992年   119篇
  1991年   83篇
  1990年   49篇
  1989年   38篇
  1988年   40篇
  1987年   14篇
  1986年   10篇
  1985年   11篇
  1984年   20篇
  1983年   4篇
  1982年   5篇
  1981年   2篇
  1980年   8篇
  1979年   1篇
  1978年   3篇
  1977年   3篇
  1974年   1篇
  1973年   1篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 117 毫秒
81.
纪宗南 《电子质量》2002,(8):U018-U022
本文介绍大电流输出的开关电源芯片MAX1623的特点,设计原理和典型应用电路。  相似文献   
82.
本文对N个振荡器相互注入锁定同步振荡系统提出了一种通用的分析方法。建立了该系统的完整非线性等效模型,导出了系统的状态方程。对于各种不同电路形式的振荡系统,只要将具体的电路参数代入,就可计算其输出功率,功率合成效率及工作频率等参数,从而使这类系统的计算机辅助分析和设计成为可能。  相似文献   
83.
张毅 《无损检测》2004,26(11):580-581,584
介绍采用射线方法检测功率管芯片与基座之间的焊接质量。试验证明,选用合适的透照参数可使X射线照相和X射线实时成像对焊接部位的检测均得到较高的对比灵敏度,但X射线照相法成本低廉,一次可透照多个工件,效率高,为该功率管焊接质量的理想检测方法。  相似文献   
84.
85.
本文论及分流液压转向牵引计算的概念,方法及其展开图,并且提供了计算机绘制的展开图和应用实例。  相似文献   
86.
The paper shows that an analytical evaluation of the power coefficient Cp for an ideal horizontal-axis wind turbine can be made via an expression giving the direct relationship of Cp and the axial induction factor a. The results obtained agree closely with those obtained numerically from the usual integral expression involving several variables.  相似文献   
87.
皂河抽水站变电所主变保护改造   总被引:1,自引:0,他引:1  
简要介绍WKT型微机保护装置运行情况、存在的问题及改造方案。根据美国通用电气公司(GE)的SR745微机型变压器管理继电器在皂河抽水站变电所的应用,介绍该装置的主要特点、安装调试中遇到的主要问题及解决方法和运行情况等,并对变压器保护改造进行了有益的探索。  相似文献   
88.
Mesopore nickel-based mixed rare-earth oxide (NMRO) and activated carbon (AC) with rich oxygen-contained groups were prepared as electrode materials in a supercapacitor using room temperature ionic liquid (RTIL) electrolyte. These electrode materials were characterized by XPS, XRD, N2 adsorption, SEM as well as various electrochemical techniques, and showed good properties and operated well with RTIL electrolyte. A 3 V asymmetrical supercapacitor was fabricated, which delivered a real power density of 458 W kg−1 as well as a real energy density of 50 Wh kg−1, and during a 500-cycle galvanostatic charge/discharge measurement, no capacity decay was visible. Such promising energy-storage performance was to a large extent ascribed to nonvolatile RTIL electrolyte with wide electrochemical windows and high stable abilities worked with both electrode materials.  相似文献   
89.
集成电路芯片级的热分析方法   总被引:2,自引:2,他引:0  
文章在研究分析了集成电路中功耗的主要来源以及温度对集成电路性能的影响后,详细总结了近年来集成电路芯片级的几种热分析方法。并从实际应用角度对这几种方法进行了分析和比较,讨论了各个方法的优点及其适用范围。  相似文献   
90.
The irradiation with high-energy (7.35 MeV) protons through a set of energy degraders was used to suppress leakage of the silicon power diodes subjected to local lifetime control. The aim was to modify the profile of recombination centers and to reduce production of vacancy complexes. The high-energy proton irradiation was compared with standard local lifetime killing by high-energy alphas. Recombination centers arising from irradiation were characterized after irradiation and subsequent annealing at 220 and 350 °C by deep level transient spectroscopy and I-V profiling. Static and dynamic parameters of irradiated diodes were also measured and compared. Results show that the applied irradiation with protons provides 3-10 times lower leakage compared to standard alphas for equivalent reduction of the reverse recovery current maximum. On the other hand, the excessive formation of hydrogen donors at high proton fluences and their diffusion during annealing at 350° decreases diode blocking capability.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号